簡易用語説明【抵抗変化型メモリ】
電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。（引用元：wikipedia）
抵抗変化型メモリの情報
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最も一般的に使用される英文表記
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ReRAM |
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音・読み
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リラム |
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最も一般的に使用される和文表記
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抵抗変化型メモリ |
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別表記①
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resistive random access memory |
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別表記②
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該当なし |
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別表記③
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該当なし |
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G検定シラバス
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なし |
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備考欄
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ー |
抵抗変化型メモリ【AI用語・和文】
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